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低壓N2氣氛下超細SiC粉末的燃燒合成技術

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以Si和C的混合粉末為原料，聚四氯乙烯（PTEE）為化學促進劑，將其適度加壓（1~10MPa）后在N2氣氛下成功燃燒合成了高純超細SiC納米粉（100~300nm）。

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